0 引言
近年来，伴随第三代半导体的蓬勃发展，具有宽禁带、高掺杂浓度优势的SiC器件，凭借高开关频率、耐高压以及耐高温等优点得到广泛应用。然而，SiC器件与硅基器件在寄生参数方面存在较大差异，亟需与之对应的驱动（试读）...
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